對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應離子刻蝕時,通過調節兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。產品經除塵,堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質、再經脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進行間歇粗餾,通過控制精餾溫度,除去O2、N2、H2,得到高純CF4。因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物,然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能,鍵長也是前者短得多,所以四氟化碳的熱穩定性更好。
四氟化碳是一種鹵代烴,化學式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳,也可以被視為一種無機化合物。零下198 °C時,四氟化碳具有單斜的結構,晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高純四氟化碳主要用于集成電路、半導體的等離子刻蝕領域,可用來蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料,是用量大的等離子蝕刻氣體。此外,高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽能電池生產等領域。四氟化碳的溶氧性很好,因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功,在275米到366米的深度內,小白鼠仍可安全脫險。
四氟化碳是一種鹵代烴,化學式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳,也可以被視為一種無機化合物。零下198 °C時,四氟化碳具有單斜的結構,晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。隨著手機、相機、太陽能電池等消費電子產品的需求量不斷攀升,高純度四氟化碳將成為四氟化碳行業的主要增長動力。在全球范圍內,高純度四氟化碳應用于歐洲、亞太地區、北美、中東、非洲和南美洲等地區,受電子產業發展程度不同影響,對于高純度四氟化碳的需求也不同,亞洲地區由于電子產業發展落后,近幾年電子電器行業處于快速發展狀態,因此使得該地區的高純度四氟化碳消費量持續攀升。
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